HM600S120A1S3N0
V（ds）=1200V，導(dǎo)通電阻R（dson）=2.6mΩ，I（ds）=600A ，HPD封裝，主要應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、脈沖功率應(yīng)用等領(lǐng)域。
產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品描述
產(chǎn)品特點(diǎn)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
產(chǎn)品應(yīng)用
產(chǎn)品描述
V（ds）=1200V，導(dǎo)通電阻R（dson）=2.6mΩ，I（ds）=600A ，HPD封裝，主要應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、脈沖功率應(yīng)用等領(lǐng)域。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1
SiC 功率MOSFET
2
高阻斷電壓與低導(dǎo)通電阻
3
易于并聯(lián)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單
4
適用于高溫、高濕、高壓的工作環(huán)境
5
獨(dú)立銅基板使用Si3N4 AMB技術(shù)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1
實(shí)現(xiàn)緊湊、輕量、高效的系統(tǒng)
2
降低過(guò)壓保護(hù)需求
3
降低熱管理要求
4
降低系統(tǒng)成本
應(yīng)用領(lǐng)域
