GS2M0080120D
SiC MOSFET 型號GS3M0080120D ,V（ds）=1200V，導通電阻R（dson）=72mΩ，I（ds）=30A ，TO-247-3封裝，主要應用于光伏儲能、電動汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網等領域。
產品詳情
產品描述
產品特點
產品優(yōu)勢
產品應用
產品描述
SiC MOSFET 型號GS3M0080120D ,V（ds）=1200V，導通電阻R（dson）=72mΩ，I（ds）=30A ，TO-247-3封裝，主要應用于光伏儲能、電動汽車、工業(yè)控制、軌道交通、智能電網等領域。
產品特點
1
耐高壓，低導通電阻
2
高速開關，低電容
3
易于并聯(lián)，驅動簡單
4
符合RoHS標準
產品優(yōu)勢
1
更低損耗
2
更高可靠性
3
更高結溫
4
提高系統(tǒng)功率密度
5
降低冷卻要求
應用領域
